연구시설장비

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배선공정용 화학기상증착장비

Metal-Dielectric CVD(Chemical Vapor Deposition) for BEOL

DRIS No.	DRIS-19-1015
시설장비등록번호	NFEC-2023-11-291260
보유기관	대구경북과학기술원
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장비정보

모델명	AMAT Centura-5200 CVD System	제작사	러셀
취득일자	2023-10-20	취득금액	2,145,000,000원
5대 미래산업 분류	해당없음	활용용도	시험
표준분류	기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 유기금속화학증착장비
장비위치	대구광역시 달성군 현풍읍 테크노중앙대로 333 R6동 차세대반도체융합연구소 F2층 205호
장비설명	소자 배선공정에는 Contact 형성/배선 패턴 형성(Barrier, Metal 등)/층간 절연막 형성/평탄화/Via Hole 형성/Via Plug 형성/Passivation 등이 있는데, 특히 배선공정용 화학기상증착장비(3챔버)의 용도는 W-Plug 공정을 통한 Gap-Fill공정(W-챔버), 층간 절연막 형성(TEOS-챔버), Passivation(SiN-챔버) 공정 등에 특화된 장비
구성 및 기능	○ (Process chamber-1)W-CVD Chamber를 통한 텅스텐 Gap-Fill 공정 가능(M1, M2, M3 … 등 Metal to Metal 다층배선전극 공정을 가능하게 함). ○ (Process chamber-2)SiNx Chamber를 통한 SiNx 박막 공정 가능(Passivation Nitride 박막층 형성). ○ (Process chamber-3)SiOx Chamber를 통한 SiOx 박막 공정 가능(IMD:Inter-Metal Dielectric 박막층 형성). ○ Performance and Specification 1) Chamber Vacuum Leak Rate : < 2mtorr/min(W) & <10mt(SiNx/SiOx) 2) Within Wafer Uniformity : < 5% (Thickness 300nm, 13point) 3) Wafer to Wafer Uniformity : < 5% (5Wafer, Thickness 300nm, 13point) 4) W Gap Fill : 350nm Via Hole Pattern, Aspect Ratio 3:1
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