연구시설장비

서브비주얼 배경이미지

정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)

전천후 샘플 처리 시스템

Multi Functional Sample Treatment System

DRIS No.	DRIS-19-0103
시설장비등록번호	NFEC-2019-01-248158
보유기관	대구경북과학기술원
담당자
연락처
이메일

장비정보

모델명	모델명 없음	제작사	피브이티
취득일자	2018-10-19	취득금액	70,000,000원
5대 미래산업 분류	로봇	활용용도	시험
표준분류	기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
장비위치	대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 333 대구경북과학기술원　 R3 F4 411
장비설명	■ 본 천전후 샘플 처리 시스템은 산소 플라즈마 발생 장치 (O2 Plasma Treatment System)와 고온 고속 열처리 시스템 (Rapid Thermal Annealing System) 기능이 혼합된 시스템을 의미한다. ■ 산소 플라즈마 발생 장치 (O2 Plasma Treatment System)는 기판의 표면 클리닝 용도 및 증착된 물질의 급속 산화 과정을 위한 장치이며 고온 고속 열처리 시스템 (Rapid Thermal Annealing System)은 샘플을 고온 ( < 800 ℃) 열처리를 위한 장치다. ■ 상기 장비는 웻지형 초고진공 마그네트론 스퍼터링 시스템과 결합하여 In-situ로 시료 증착 및 전천후 샘플 처리를 담당하게 된다.
구성 및 기능	■ Load-Lock Chamber(RTA) - Base Pressure : 5.0 x 10(-7) torr, Two(2) Port for Pumping, Six(6) Port for Sample Inlet, One(1) Port for Sample parking unit ■ Pumping part - Turbo Molecular Pump for main chamber (Pumping Speed : 550L/sec), Port : 8"CF Flange, Rotary Pump ■ Heater stage( + RF treament sample stage) - Heater size : 4", Heating material : Tungsten wire, Max. Temperature : 800℃, Stage Z-motion (25mm)
사용/활용예	■ 샘플 삽입 및 O2 Plasma를 이용한 기판 Claening ■ O2 Plasma를 이용한 Ashing (E-beam Resist 또는 Photo Resist 제거) ■ 고온 열처리를 통한 기판 Cleaning ■ 고온 열처리와 O2 Plasma를 동시에 사용한 기판 Cleaning 또는 Ashing ■ 고온 열처리를 통한 샘플 Annealing
이용안내
유의사항

이용료안내

담당자에게 문의하시기 바랍니다.