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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)

스퍼터링 시스템

Sputtering system

DRIS No. DRIS-19-0004
시설장비등록번호 NFEC-2021-02-267998
보유기관 대구경북과학기술원
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장비정보

모델명 DKSPT-4-3 제작사 대기하이텍
취득일자 2020-12-09 취득금액 88,000,000원
5대 미래산업 분류 헬스케어 활용용도 시험
표준분류 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터
장비위치
대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 333 50-1 대구경북과학기술원 중앙기기FAB지원센터 F2층 205호
장비설명 1. 장비설명
신경 자극 및 측정을 위해 제작되는 신경인터페이스의 전기적 특성을 향상시키기 위한 Iridium oxide 와 같은 금속 산화막 증착용 시스템이다. 금속 산화막 생성을 위해 아르곤과 산소가스를 동시에 사용하며, 일반적인 DC power가 아닌 pulsed DC power를 이용하여 효과적으로 금속 박막 산화 반응을 발생 시킬 수 있는 반응성 스퍼터링 시스템으로 구축 되었다. 센서나, 전지 반도체등의 성능 향상을 위해 Iridium oxide 외에 다양한 금속 산화막 증착이 가능하다.
구성 및 기능 2. 구성 및 성능

1) 구성
A. Process Chamber
a) Material: Stainless Steel (SUS304)
b) Size: Ф520×400mm(H), Cylindrical,

B. Vacuum Pumping System
a) High Vacuum Turbo Pump
- Flange Size: DN200CF
- Pumping Speed: >1,200 ℓ/sec for N2
b) Vacuum Gauge
- Convectron 2ea, Ion 1ea Gauge Sensor & Controller, 1ea
- Range: ATM ~ 10-9 Torr
c) Rotary Vane Vacuum Pump, 1set
- Pumping Speed: 800 ℓ/min
- Direct Drive

C. Substrate & Rotation Manipulator
- Size: 6“ wafer 장착
- rotation Speed: 0∼30rpm by A.C Motor

D. Wafer Heating Unit
- Heating Range: 400~800℃ at Wafer surface
- Uniformity: 400℃±2℃ in 6“ Wafer

E. Gas Supply unit
- MFC: Ar 100sccm, O2 100sccm

F. Pulse DC Power Supply
- Maximum output power: 2kW(1,000V, 2A)
-.Micom control type
- Remote control

G. Magnetron Sputter Gun (3set)
- 4" Dia magnetron sputter gun, Target Thickness 3mm
- R.F Shield & Target holder
- N Type power connector


2) 성능
A. Process wafer size : Piece & 4" ~ 6"
B. Puls DC Power Supply
- Maximum output power: 2kW(1,000V, 2A)
C. Target Materials : Metal & Metal oxide
D. Pressure
- Ultimate Vacuum Pressure: Less than 1x10-7 Torr
- Working Pressure: 5~10mTorr
E. Gas unit
- Ar : 0~100 sccm
- O2 : 0~100 sccm
F. wafer heating : ~ 800℃(Uniformity: 400±3℃)
G. film uniformity : ±1% in 6" Wafer
사용/활용예
이용안내
유의사항

이용료안내

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