연구시설장비

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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)

표면연마기

Lapping machine

DRIS No.	DRIS-18-0001
시설장비등록번호	NFEC-2021-04-270125
보유기관	경북대학교 산학협력단
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장비정보

모델명	ASP-1602-RC	제작사	에스제이엔
취득일자	2021-03-25	취득금액	188,731,200원
5대 미래산업 분류	반도체	활용용도	시험
표준분류	기계가공/시험장비 > 성형/가공장비 > 표면가공기
장비위치	대구광역시 북구 대학로 80 (산격동) 1370 경북대학교 반도체융합연구동 F1층
장비설명	1. 장비의 개요 본 장비는 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 위한 반도체 생산에서 필수적인 공정 중 하나로 연마액(Slurry)에 포함된 화학액을 통해 화학적으로 반응된 웨이퍼 표면을 압력과 상대속도를 통해 연마입자로 제거하여 웨이퍼의 표면을 연마 또는 평탄화(Planarization) 시키는 기술 및 공정용 장비 2. 장비의 특징 본 장비는 웨이퍼 제작 과정 및 소자 제작 과정에서 CMP는 웨이퍼의 최종 표면 품질 확보를 위해 적용되고 있으며, 반도체 소자의 제조에 있어서는 STI(Shallow Trench Isolation) CMP, ILD(Inter-Layer Dielectric) CMP, IMD(Inter-Metal Dielectric) CMP 등으로 적용 3. 장비의 개략적 구성 및 특성 본 장비는 반도체의 고집적화, 다층화를 위해 반도체 제조 과정에 있어 CMP 공정의 적용이 증가하고 있으며, 최근 4차 산업혁명의 시작과 더불어 반도체 소자의 적용 범위가 다양해짐에 따라 CMP 공정에 대한 수요는 지속적으로 증가하고 있고, 2~6 inch wafer size 장비로서 연구소 시설 내 설치 및 활용에 적합하며, 대학 내 · 외부 및 기업체의 다양한 공정의뢰(또는 직접사용)를 수행하는 연구소 규모에 적합한 장비
구성 및 기능	1. 일반사양 1) Wafer Size : 2 ~ 6 inch wafer size 2) Type : Si Wafer 3) Wafer Loading Unit : Manual Loading/Unloading 2. 화학기계적연마기 외관사양 1) 장비크기 : 1,000W1,000D1,900H mm 2) 장비무게 : Max 850 kg 3) 제작재료 : Stainless steel with C-PVC 3. 연마 장치 1) 연마 정반(테이블) & 교체형 기준정반 - Quick Changeable Platen - 정바직경 : 406mm (16 inch) - 제작재료 : Teflon Coated Aluminum - 회전속도 : 30 ~ 200 rpm - Upper Platen : Total 2EA (with one additional upper platen) 2) 연마 헤드 - 웨이퍼 가압방식 : Membrane Head(고무공기막가압방식) - 압력범위 : 70~500g/㎠(1psi~7.1psi) for 4“& 6“ wafer by variable air pressure electronic controller - Head Carrier : Two 4“ + One 6“ Carriers are included(with one additional 4 inch carrier) * 2~6 inch headers compatible - Retainer Ring 압력제어 : Direct pneumatic pressure control - Retainer Ring 압력범위 : 70 ~ 700 g/cm2 for 4inch wafer - 회전속도 : 30-200 rpm 4. 연마액(Slurry & Chemical) 공급 장치 : 2SET - 펌프종류 : Roller pump - 펌프용량 : (max) 400ml/min - Tube 재질 : Silicone tube 5. 연마패드 재생장치 : 2Set - Type : 신형 좌우진동형 - 회전속도 : 0 ~ 160 rpm - 직경 : 190~195mm (18 segment conditioners) - 가압범위 : 3~10 kgf - Nylon Brush 및 DIW 연마패드 표면 청소기능(2SET) : 고압 DIW(초순수) 세척 *Nylon Brush with DIW nozzle 3ea(set) 6. Head Down & Conditioner Force Monitoring/Calibration - Load Cell & Indicator 7. 제어장치 - PC Control 8. 공정성능 1) 균일성 - WIWNU (4“) : 5% 이하 - WTWNU : 5% (5 wafers) 이하 2) 공정재료 : Si
사용/활용예	- 다기능(초고속/고출력/저전력) 디바이스 & 센서 제작에 용이 다. 웨이퍼 제작 과정 및 소자 제작 과정에서 CMP는 웨이퍼의 최종 표면 품질 확보를 위해 적용되고 있으며, 반도체 소자의 제조에 있어서는 STI(Shallow Trench Isolation) CMP, ILD(Inter-Layer Dielectric) CMP, IMD(Inter-Metal Dielectric) CMP 등으로 적용 가능
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