정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
Thermal Evaporator
DRIS No. | DRIS-19-0044 |
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시설장비등록번호 | NFEC-2020-01-259918 |
보유기관 | 대구경북과학기술원 |
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이메일 |
모델명 | Solar-Passage | 제작사 | 대동하이텍 |
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취득일자 | 2019-12-11 | 취득금액 | 47,020,000원 |
5대 미래산업 분류 | 헬스케어 | 활용용도 | 시험 |
표준분류 | 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 열증착기 | ||
장비위치 | |||
장비설명 | 열증착기는 에너지 소자의 적극으로 사용되는 금속(Au, Ag, Cr, etc)을 고진공하에서 열 증착 방식을 통해 박막을 소자 기판에 제작할 수 있는 장비로써 이는 프로세스 챔버, 진공모듈, 시스템 제어 모듈 등으로 구성되어 있음. 3가지 소스 (2 metal, 1 organic)를 증착할 수 있으며 서로간의 오염을 방지할 수 있는 chamber 구성과 고진공을 위한 turbo pump를 포함하며 substrate rotation, vacuum gauge control unit, multilayer deposition control unit을 포함 | ||
구성 및 기능 |
구성
1. 공정 챔버 유니트 : 1 Set 2. 진공 펌핑 유니트 : 1 Set 3. 샘플 스테이지 유니트 : 1 Set 4. 진공도 측정 유니트 : 1 Set 5. 증착소스 및 파워 공급 유니트 : 1 Set 6. 다층막 증착 제어 유니트 : 1 set 7. 프레임 및 시스템 제어 유니트 : 1 set 성능 1. 진공 배기성능 - 챔버 최종 도달 압력 : 10-8 Torr 이하 (Chamber vent후 10시간 이내) - 진공 배기 속도 : 2 x 10-6 Torr 이하 (Chamber vent후 20분 이내) 2. 증착 균일도 및 정밀 증착 성능 - 박막 균일도 (Uniformity) : ± 2.5% 이하 (6 inch x 6 inch sample 전면, edge 1.5mm제외) . Al 0.5㎛, LiF 0.5㎛, MoO3 0.5㎛ 증착기준 (10 point random measurement by alpha step or FESEM) - 재현성 (Repeatability) : ± 2.5% 이하 . Al 0.5㎛, LiF 0.5㎛, MoO3 0.5㎛ 각각 3회 이상 증착하여 평균값으로 평가 - 증착 제어 (금속 및 유기물) : Al 및 AlQ3 0.5㎛ 증착 기준 . 증착 제어 범위 : 0.1 Å/sec ~ 20Å/sec . 증착률 제어 편차 : 0.2% @ 20Å/sec 이하 3. 증착시 챔버 내부 온도 60℃ 이하 유지 - 금속소스 Ni 1㎛ 증착시 Organic source부와 Chamber wall, 기판의 온도, 각각의 증착 소스간의 격벽을 포함한 모든 shield 및 구조물의 온도가 60℃ 이하를 유지 |
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사용/활용예 |
3가지 소스(2 metal, 1 organic)를 증착할 수 있음.
Energy harvesting 소재 (Piezoelectri, Triboelectric) 및 소자 제작을 위한 소자의 전극(Au, Ag, Cr, etc) 증착에 적극적으로 사용하고자 함 압전특성을 가지는 bio/organic source (Glycine, Diphenylalanine, etc) 소재 제조 및 소자 공정 개발에 활용하고자 함 |
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이용안내 | |||
유의사항 |
담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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